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transistor kt 808

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Abstract: Staßfurt C H R O M A T mit KT 808 AM in der Hochspannungsendstufe ! Seit März 1983 wird beim CHROMAT der Transistor KT 805 A, EDV-Hr. 8313205 durch den Typ KT 808 AM. EDV-Hr. 8383314 ersetzt, was die , Bauform (KT 808 im T03-Gehäuse) ist jedoch folgendes zu beachten! Der VEB FSG Staßfurt stellt den , ist, das Kühlblech mit einem KT 805 A und einem KT 808 AM zu bestücken. Auf dem bisher eingesetzten , abgesägt wurde. Für die Montage des Transistors KT 808 AM ist die zum T03-Gehäuse passende und mit ... OCR Scan
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transistor gc 301 Stassfurt transistor kt 808 transistoren von tesla transistor KF 507 Mitteilung VEB RFT KT808 transistor kt RFT Transistoren 2107B-2 transistor 805A KT 805 2110-B1 transistor d 808 ku 606 TEXT
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Abstract: 3204) anstelle 4er KT 808 AM eingesetzt worden. Die Transistoren KU 608 können in Ersatzfall beliebig mit den Typen KT 805 A oder KT 808 AM (EDV-Nr. 83 8 3314) eingesetzt werden. 2/85 Seite 3 6 , Bezeichnung XF 9001 R 9005 wird in 390 Ohm geändert In der Zeichenerklärung sind beim Transistor SD 335 , Mitteilung aus dem VEB Rundfunktechnik REMA Ersatz von Transistoren KT 817 B Im »Andante 844" Im Gerät "Andante 844" werden ab sofort die Importtransistoren KT 817 B durch den Inlandtyp SD 345 ersetzt. In ... OCR Scan
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WF Berlin 4000ER LD61 rundfunktechnik colormat KU 608 SAB 3022 colormat 4506 Servicemitteilungen rema- radio 817 b KT 817 service-mitteilungen colortron rema andante KT 817 transistor TEXT
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Abstract: ., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 91003TN 91003TN (KT)/91098HA /91098HA (KT)/1115MY/1283KI /1115MY/1283KI, TS No , 2SD1012 2SD1012 2SB808 2SB808 2SB 808 012 60 2SD1 100 7 5 3 2 40 20 0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 , Current Gain, hFE 3 2 2SB808 2SB808 2 2SB 2SD 808 100 7 5 3 2 10 1.0 10 7 5 1012 2 3 , 808 2 101 2SD (For PNP, minus sign is omitted.) 2 3 5 (For PNP, minus sign is omitted.) 3 , middle-point voltage at the output stage and the collector voltage of the driver transistor must be VCC/2 ... SANYO Electric
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2SC536e 2sb808 2SA608e transistor kt 808 2sb transistor ENN676D 2SB808/2SD1012 TEXT
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Abstract: Company TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 91003TN 91003TN (KT)/91098HA /91098HA (KT)/1115MY/1283KI /1115MY/1283KI, TS No.676­1/5 2SB808/2SD1012 2SB808/2SD1012 Continued from preceding page. Parameter , 2SD1012 2SD1012 50m 2SB808 2SB808 VCE=10V (For PNP, minus sign is omitted.) 5 3 808 2SB 2 012 , 100 808 2 101 (For PNP, minus sign is omitted.) 2 3 5 10 2 3 5 2SD , 3 DC 2 op era tio 0.1 n 7 5 2 10 5 1.0 808 3 2SD 2 ... SANYO Electric
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2sa*608 2SB808 2SC536 2SA608 2SA60 2SD1012 2SD1012F ITR08383 ITR08384 ITR08385 ITR08386 2SA608-E 2SC536E,F sanyo 2SC536e 2SA608e ENN676D 2SB808/2SD1012 2SC536E ENN676D 2SB808/2SD1012 ENN676D ENN676D 2SB808/2SD1012 2SB808/2SD1012 TEXT
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Abstract: OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 91003TN 91003TN (KT)/91098HA /91098HA (KT , ITR08384 ITR08384 f T - IC VCE=10V (For PNP, minus sign is omitted.) 5 3 808 2SB 2 012 , DC 2 op era tio 0.1 n 7 5 2 10 2 808 3 2S 5 1.0 2SB 3 , output stage and the collector voltage of the driver transistor must be VCC/2. Therefore, the output , transistor are more to be VCC/2 so that the output can be maximized. DS442 DS442×2 VCC=3V 100 1k 100uF + ... SANYO Electric
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ITR08386 ITR08385 ITR08384 ITR08383 2SD1012 2SB808 2SA60 2SC536E,F R1820 sanyo 2SC536e 2SC536E ENN676D 2SB808/2SD1012 TEXT
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Abstract: Ordering number:EN5035 EN5035 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5228 2SC5228 VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features Package Dimensions · Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). · High gain : S21e2=13.5dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ. unit:mm 2110A , , TOKYO, 110-8534 JAPAN 21599TH 21599TH (KT)/13095YK /13095YK (KOTO) TA-0157 TA-0157 No.5035­1/5 2SC5228 2SC5228 No.5035­2/5 , 0.117 36.7 0.497 ­51.4 1000 0.515 ­152.4 3.141 80.8 0.125 36.0 0.459 ... SANYO Electric
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marking 9365 9484 transistor 50354 2SC5228 KT 0803 EN5035 TEXT
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Abstract: Ordering number:ENN5035 ENN5035 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5228 2SC5228 VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features · Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). · High gain : S21e2=13.5dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ. Package Dimensions unit:mm 2110A 1.9 0.95 , , Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 22505TN 22505TN (PC)/21599TH /21599TH (KT)/13095YK /13095YK (KOTO) TA-0157 TA-0157 No.5035­1/5 2SC5228 2SC5228 , 89.6 80.8 72.2 65.4 58.8 52.7 46.9 | S12 | 0.035 0.063 0.094 0.109 0.117 0.125 0.131 0.138 0.146 0.155 ... SANYO Electric
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ENN5035 2SC5228 TEXT
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Abstract: Ordering number:ENN5035 ENN5035 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5228 2SC5228 VHF to UHF Wide-Band Low-Noise Amplifier Applications Features Package Dimensions · Low noise : NF=1.0dB typ (f=1GHz). · High gain : S21e2=13.5dB typ (f=1GHz). · High cutoff frequency : fT=7GHz typ. unit:mm 2110A , OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN 22505TN 22505TN (PC)/21599TH /21599TH (KT , 80.8 0.125 36.0 0.459 ­55.1 1200 0.503 ­165.2 2.687 72.2 0.131 36.2 ... SANYO Electric
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transistor kt 808 KT 0803 ITR07934 ITR07933 ITR07932 ITR07931 ITR07930 2SC5228 29 0826 ENN5035 TEXT
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Abstract: , prescaler, and reference oscillator transistor require only the addition of an external crystal to provide , scillator transistor. A 3 3 p F ca p a citor should be connected from this pin to ground. D iodes shown in , 4.61 4.00 3.63 3.42 3.26 3.15 3.07 3.01 2.95 -6.23 -4.40 -5.61 -6.66 -8.08 -8.93 , 5.78 10.42 9.18 8.08 6.88 6.02 5.19 4.52 3.93 3.35 2.72 3.6 11 T R A N S C E IV E R S , – . >* < ■ •■ V i:. S ... OCR Scan
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RF2516 TEXT
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Abstract: Feldeffekttransistor C = Z-Diode T = Transistor (bipolar) · y = gesteuerte mehrschichtige Bauelemente CD = , bis 899 - P.ot ¿ s w U z = 0.1 -99 V zwecks n = Transistor 4 = Diode von 901 bis , Kollektor-Emitterspannung (Spitzenwert) U cEX = Kollektor-Emitterspannung bei gesperrtem Transistor U od - , B TT 703 B rT703r rT703 4 TT 806 A H 806 t> rT806 B rr 8 0 6r rT806A KT 201 A KT 201 B KT 301 B S S , NF-Transistoren (Fortsetzung) fT fwib* in MHz K T 201 r K T 201 A K T 203 A K T 203 B K T 203 B KT KT KT KT KT KT ... OCR Scan
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pnp transistor bel 640 Kombinat VEB VEB M ik ro e le k tro n ik mtx rt404 transistor IR 652 H GC elektronik DDR Germanium Transistor katalog Sowjetische Halbleiter-Bauelemente Halbleiterbauelemente DDR BEL 639 transistor TEXT
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